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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9520-031 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9520-031PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9520CHP | VISHAY |
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Transistor |
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| IRF9520F | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF9520FX | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF9520FXPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF9520N | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.48ohm, Id=-6.8A) |
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| IRF9520NL | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.48ohm, Id=-6.8A) |
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| IRF9520NLPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 100V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IRF9520NPBF | KERSEMI |
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HEXFET Power MOSFET |
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