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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF9510STRRPBF
IRF9510STRRPBF PDF预览

IRF9510STRRPBF

更新时间： 2024-11-18 13:08:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 1719K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

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IRF9510STRRPBF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.04
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：1.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF9510STRRPBF 数据手册

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IRF9510, SiHF9510  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
- 100  
• Repetitive Avalanche Rated  
• P-Channel  
Available  
RDS(on) (Ω)  
VGS = - 10 V  
1.2  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
8.7  
2.2  
COMPLIANT  
• 175 °C Operating Temperature  
• Fast Switching  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
4.1  
• Ease of Paralleling  
Configuration  
Single  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
S
TO-220  
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
S
D
D
G
P-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220  
IRF9510PbF  
SiHF9510-E3  
IRF9510  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHF9510  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
- 100  
20  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
T
C = 25 °C  
- 4.0  
- 2.8  
- 16  
Continuous Drain Current  
VGS at - 10 V  
ID  
A
TC = 100 °C  
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
Linear Derating Factor  
0.29  
200  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
- 4.0  
4.3  
EAR  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
43  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
- 5.5  
- 55 to + 175  
300d  
10  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
°C  
for 10 s  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = - 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 18 mH, RG = 25 Ω, IAS = - 4.0 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ - 4.0 A, dI/dt ≤ 75 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91072  
S-Pending-Rev. A, 20-Jun-08  
www.vishay.com  
1
WORK-IN-PROGRESS  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF9511 SAMSUNG

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 		Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
IRF9511 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 80V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
IRF9512 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB
IRF9513 SAMSUNG

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 		Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 1.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
IRF9513 INFINEON

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 		暂无描述
IRF9520 SAMSUNG

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