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IRF9520

更新时间: 2024-11-18 20:21:03
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 46K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

IRF9520 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:SFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.06Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):380 mJ配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (Abs) (ID):6.8 A
最大漏极电流 (ID):6 A最大漏源导通电阻:0.6 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:P-CHANNEL功耗环境最大值:40 W
最大功率耗散 (Abs):60 W最大脉冲漏极电流 (IDM):24 A
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):115 ns
最大开启时间(吨):150 nsBase Number Matches:1

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