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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9510S, SiHF9510S | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF9510SPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF9510STRL | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF9510STRLPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF9510STRR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9510STRR | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9510STRRPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9511 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| IRF9511 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 80V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| IRF9512 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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