IRF840LCL

更新时间： 2024-09-21 05:39:27

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威世 - VISHAY		/
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描述
Power MOSFET

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IRF840LCL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.04
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	510 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	0.85 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	28 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF840LCL 数据手册

IRF840LCS, IRF840LCL, SiHF840LCS, SiHF840LCL

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Ultra Low Gate Charge

500

• Reduced Gate Drive Requirement

Available

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.85

• Enhanced 30 V V_GSRating

• Reduced C_iss, C_oss, C_rss

• Extremely High Frequency Operation

• Repetitive Avalanche Rated

• Lead (Pb)-free Available

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

DESCRIPTION

This new series of low charge Power MOSFETs achieve

significantly lower gate charge then conventional Power

MOSFETs. Utilizing the new LCDMOS (low charge device

Power MOSFETs) technology, the device improvements are

achieved without added product cost, allowing for reduced

gate drive requirements and total system savings. In

addition, reduced switching losses and improved efficiency

are achievable in a variety of high frequency applications.

Frequencies of a few MHz at high current are possible using

the new low charge Power MOSFETs.

D²PAK

(TO-263)

I²PAK

(TO-262)

N-Channel MOSFET

These device improvements combined with the proven

ruggedness and reliability that characterize Power

MOSFETs offer the designer a new power transistor

standard for switching applications.

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRF840LCSPbF

D²PAK (TO-263)

IRF840LCSTRR^a

SiHF840LCST^a

I²PAK (TO-262)

IRF840LCLPbF

SiHF840LCL-E3

IRF840LCL

Lead (Pb)-free

SiHF840LCS-E3

IRF840LCS

SiHF840LCS

SnPb

SiHF840LCL

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

500

_C= 25 °C

8.0

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

5.1

Pulsed Drain Current^{a, e}

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Avalanche Current^a

I_DM

1.0

W/°C

E_AS

I_AR

510

8.0

Repetiitive Avalanche Energy^a

E_AR

_C= 25 °C

3.1

Maximum Power Dissipation

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

125

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

dV/dt

3.5

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 14 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 8.0 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 8.0 A, dI/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRF840LC/SiHF840LC data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91068

S-Pending-Rev. A, 02-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF840LCLPBF	VISHAY	完全替代	Power MOSFET
SPI07N60C3	INFINEON	功能相似	Cool MOS⑩ Power Transistor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF840LCLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF840LCLTRLPBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRF840LCLTRRPBF	VISHAY	获取价格	暂无描述
IRF840LCPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF840LCPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF840LCS	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A)
IRF840LCS	TRSYS	获取价格	Power MOSFET
IRF840LCS	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF840LCS, IRF840LCL, SiHF840LCS, SiHF840LCL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF840LCSPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

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