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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.05 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 18 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 125 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF640S, SiHF640S, SiHF640L | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF640SPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF640ST4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |
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| IRF640STRL | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF640STRLPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF640STRR | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF640STRRPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF640T | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 MESH OV |
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| IRF640T | MOTOROLA |
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18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF640U2 | MOTOROLA |
获取价格 |
18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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