IRF640

更新时间： 2024-11-05 22:51:35

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

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IRF640 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.68	雪崩能效等级（Eas）：	580 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A
最大漏极电流 (ID)：	18 A	最大漏源导通电阻：	0.18 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF640 数据手册

IRF640, RF1S640, RF1S640SM

Data Sheet

January 2002

18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power

MOSFETs

Features

• 18A, 200V

These are N-Channel enhancement mode silicon gate

power field effect transistors. They are advanced power

MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a

specified level of energy in the breakdown avalanche mode

of operation. All of these power MOSFETs are designed for

applications such as switching regulators, switching

convertors, motor drivers, relay drivers, and drivers for high

power bipolar switching transistors requiring high speed and

low gate drive power. These types can be operated directly

from integrated circuits.

• r

= 0.180Ω

DS(ON)

• Single Pulse Avalanche Energy Rated

• SOA is Power Dissipation Limited

• Nanosecond Switching Speed

• Linear Transfer Characteristics

• High Input Impedance

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Formerly developmental type TA17422.

Ordering Information

Symbol

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

IRF640

TO-220AB

RF1S640

TO-262AA

TO-263AB

RF1S640

RF1S640SM

NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix 9A to

obtain the TO-263AB variant in the tape and reel, i.e., RF1S640SM9A.

Packaging

JEDEC TO-220AB

JEDEC TO-263AB

DRAIN

SOURCE

DRAIN

GATE

(FLANGE)

SOURCE

DRAIN (FLANGE)

JEDEC TO-262AA

SOURCE

DRAIN

GATE

DRAIN

(FLANGE)

IRF640, RF1S640, RF1S640SM Rev. B

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IRF640 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFZ14PBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET
IRF640PBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET
STP19NF20	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 - D2PAK

与IRF640相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF640, SiHF640	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF640/D	ETC	获取价格	Power Field Effect Transistor
IRF640-001PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF640-029PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF640A	FAIRCHILD	获取价格	Advanced Power MOSFET
IRF640A	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF640A16A	MOTOROLA	获取价格	18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF640AF	MOTOROLA	获取价格	18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF640AJ	MOTOROLA	获取价格	18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF640B	FAIRCHILD	获取价格	200V N-Channel MOSFET

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