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IRF640A

更新时间： 2024-10-13 22:51:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 262K
描述
Advanced Power MOSFET

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IRF640A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.2
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：216 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A最大漏极电流 (ID)：18 A
最大漏源导通电阻：0.18 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：139 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：72 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF640A 数据手册

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IRF640A  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = 200 V  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
W
RDS(on) = 0.18  
ID = 18 A  
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
TO-220  
m
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V  
Lower RDS(ON) : 0.144 (Typ.)  
W
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Value  
Units  
VDSS  
Drain-to-Source Voltage  
Continuous Drain Current (TC=25oC)  
Continuous Drain Current (TC=100o  
V
200  
18  
ID  
A
)
C
11.4  
72  
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
Drain Current-Pulsed  
A
V
1
O
+
_
Gate-to-Source Voltage  
30  
2
O
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
216  
18  
mJ  
A
1
O
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Total Power Dissipation (TC=25o  
mJ  
V/ns  
W
1
13.9  
5.0  
O
3
O
)
139  
1.11  
C
PD  
TJ , TSTG  
TL  
W/oC  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
- 55 to +150  
300  
oC  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8 “ from case for 5-seconds  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Junction-to-Case  
Case-to-Sink  
Typ.  
Max.  
0.9  
Units  
RqJC  
--  
0.5  
--  
oC/W  
Rq  
--  
CS  
RqJA  
Junction-to-Ambient  
62.5  
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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