IRF640 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，经设计、测试并保证能够在击穿雪崩操作模式下承受指定水平的能量。它专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的高功率双极开关晶体管驱动器等应用而设计。 IRF640 可以直接通过集成电路进行操作。它还可以用作放大器，例如音频放大器和音频放大器级。
IRF640场效应管参数
以下是IRF640场效应管的主要参数：
额定电流：18A
最大漏极-源极电压：200V
漏极-源极静态电阻：0.077Ω
峰值反向击穿电压：500V
门极-源极电容：1500pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
IRF640场效应管具有很低的漏电流和很高的导电能力，因此在各种功率放大电路中都具有广泛的应用。同时，它的峰值反向击穿电压也相对较高，可以保证其在高压环境下的正常工作。
IRF640场效应管引脚图及功能
IRF640场效应管的引脚图中共有三个引脚，分别为漏极、源极和门极。其中，漏极连接输出端，源极连接地或负电源，而门极用于输入控制信号。
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