是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-262AA | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.06 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 580 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 18 A | 最大漏极电流 (ID): | 18 A |
最大漏源导通电阻: | 0.18 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-262AA | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 130 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 72 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF640LPBF | VISHAY |
完全替代 |
Power MOSFET | |
SIHF640L-GE3 | VISHAY |
功能相似 |
TRANSISTOR 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, HALOGEN FREE AND |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF640L-102 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRF640LPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRF640N | MOTOROLA |
获取价格 |
18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | |
IRF640N | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm | |
IRF640N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A) | |
IRF640N_04 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRF640NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm | |
IRF640NL | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A) | |
IRF640NLPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET | |
IRF640NLPBF | KERSEMI |
获取价格 |
Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175 Operating Temperature |