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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF640-001PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF640-029PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF640A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRF640A | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF640A16A | MOTOROLA |
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18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF640AF | MOTOROLA |
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18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF640AJ | MOTOROLA |
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18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF640B | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET |
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| IRF640B | ROCHESTER |
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18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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| IRF640B_FP001 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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