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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF640D1 | MOTOROLA |
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18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF640F | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IRF640FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220VAR |
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| IRF640FP | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET |
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| IRF640FPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IRF640FX | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IRF640L | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A) |
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| IRF640L | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF640L | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF640L-102 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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