5秒后页面跳转
IRF421 PDF预览

IRF421

更新时间: 2024-11-17 22:24:11
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 215K
描述
N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF421 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84Is Samacsys:N
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):2.5 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码:e0
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):50 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

IRF421 数据手册

 浏览型号IRF421的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF421的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF421的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF421的Datasheet PDF文件第5页 

与IRF421相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF422 SAMSUNG

获取价格

N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF422 INTERSIL

获取价格

2.2A and 2.5A, 450V and 500V, 3.0 and 4.0 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRF422 NJSEMI

获取价格

Trans MOSFET N-CH 500V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF422 FAIRCHILD

获取价格

N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
IRF422R NJSEMI

获取价格

Trans MOSFET N-CH 500V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF423 FAIRCHILD

获取价格

N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
IRF423 SAMSUNG

获取价格

N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF423 NJSEMI

获取价格

Trans MOSFET N-CH 450V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF423 INTERSIL

获取价格

2.2A and 2.5A, 450V and 500V, 3.0 and 4.0 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRF430 SEME-LAB

获取价格

N-CHANNEL POWER MOSFET