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IRF430

更新时间： 2024-02-05 09:47:54

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描述
N-CHANNEL POWER MOSFET

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IRF430 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.89	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

IRF430 数据手册

IRF430

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

N–CHANNEL

POWER MOSFET

40.01 (1.575)

Max.

26.67

(1.050)

Max.

4.47 (0.176)

Rad.

2 Pls.

22.23 (0.875)

Max.

11.43 (0.450)

6.35 (0.250)

V_DSS

500V

4.5A

1.5

12.19 (0.48)

11.18 (0.44)

1.09 (0.043)

0.97 (0.038)

Dia.

1.63 (0.064)

1.52 (0.060)

I_D(cont)

R_DS(on)

30.40 (1.197)

29.90 (1.177)

4.09 (0.161)

3.84 (0.151)

2 Pls

11.18 (0.440)

10.67 (0.420)

FEATURES

16.97 (0.668)

16.87 (0.664)

• HERMETICALLY SEALED TO–3 METAL

PACKAGE

TO–3 Metal Package

• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

• SCREENING OPTIONS AVAILABLE

Pin 1 – Gate

Pin 2 – Source

Case – Drain

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Gate – Source Voltage

Continuous Drain Current

±20V

4.5A

(V = 0 , T

= 25°C)

case

(V = 0 , T

= 100°C)

Pulsed Drain Current

18A

Power Dissipation @ T = 25°C

case

75W

Linear Derating Factor

0.6W/°C

1.1mJ

4.5A

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

dv/dt

T , T

Peak Diode Recovery

3.5V/ns

-55 to +150°C

300°C

Operating and Storage Temperature Range

Lead Temperature 1.6mm (0.63”) from case for 10 sec.

stg

Notes

1) Pulse Test: Pulse Width 300 s,

2) @ V = 50V , L 100 H , R = 25 , Peak I = 4.5A , Starting T = 25°C

3) @ I

4.5A , di/dt 75A/ s , V

, T

150°C , Suggested R = 7.5

DSS

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

Prelim. 6/00

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IRF430 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF430	INFINEON	功能相似	TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A)

与IRF430相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF430-433	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V
IRF430CHP	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRF430E	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF430EA	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF430EB	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF430EBPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF430ED	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF430EDPBF	INFINEON	获取价格	4.5A, 500V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
IRF430EPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF430R	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) TO-204AA

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