IRF3708LPBF

更新时间： 2024-01-03 23:02:27

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英飞凌 - INFINEON		晶体开关晶体管功率场效应晶体管
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11页	279K
描述
SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET

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IRF3708LPBF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.29
雪崩能效等级（Eas）：	213 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	62 A	最大漏源导通电阻：	0.012 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	248 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF3708LPBF 数据手册

IRF3708/S/LPbF

3500

= 0V,

f = 1MHz

C SHORTED

24.8A

= 15V

= C + C

iss

gd ,

= C

rss

= C + C

2800

2100

1400

700

oss

iss

oss

rss

100

, Drain-to-Source Voltage (V)

, Total Gate Charge (nC)

Fig 6. Typical Gate Charge Vs.

Fig 5. Typical Capacitance Vs.

Gate-to-Source Voltage

Drain-to-Source Voltage

1000

100

1000

100

OPERATION IN THIS AREA LIMITED

BY R

DS(on)

T = 175 C

10us

100us

T = 25 C

1ms

10ms

T = 25 C

T = 175 C

Single Pulse

= 0 V

0.1

0.2

0.1

0.8

1.4

2.0

2.6

100

,Source-to-Drain Voltage (V)

, Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 7. Typical Source-Drain Diode

Fig 8. Maximum Safe Operating Area

Forward Voltage

www.irf.com

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IRF3708STRLPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
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