5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 0.6 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 264 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 110 A | 最大漏极电流 (ID)： | 75 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.008 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 390 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| AUIRF3205Z | INFINEON |
类似代替  |
HEXFET? Power MOSFET |
|
| IRF3205ZPBF | INFINEON |
类似代替 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
|
| IRFB3306PBF | INFINEON |
类似代替 |
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF3205S | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=11 |
|
| IRF3205S_02 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF3205SPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRF3205STRL | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB |
|
| IRF3205STRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Advanced Process Technology |
|
| IRF3205STRR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB |
|
| IRF3205STRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRF3205VPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF3205Z | FREESCALE |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| IRF3205Z | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
