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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.66 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 75 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0065 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 440 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| AUIRF3205Z | INFINEON |
类似代替  |
HEXFET? Power MOSFET |
|
| IRF3205ZPBF | INFINEON |
类似代替 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
|
| IRF3205PBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF3205ZL | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
|
| IRF3205ZL | FREESCALE |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| IRF3205ZL | KERSEMI |
获取价格 |
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance |
|
| IRF3205ZLPBF | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
|
| IRF3205ZPBF | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
|
| IRF3205ZS | KERSEMI |
获取价格 |
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance |
|
| IRF3205ZS | FREESCALE |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| IRF3205ZS | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
|
| IRF3205ZSPBF | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
|
| IRF3205ZSTRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
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