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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF3205L
IRF3205L PDF预览

IRF3205L

更新时间： 2024-10-29 22:48:07
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 162K
描述
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A)

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IRF3205L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Not Recommended
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.09其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：264 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.008 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：225
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：390 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF3205L 数据手册

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PD - 94149  
IRF3205S/L  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
D
VDSS = 55V  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
RDS(on) = 8.0mΩ  
G
l Fully Avalanche Rated  
ID = 110Aꢀ  
S
Description  
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-  
resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast  
switching speed and ruggedized device design that HEXFET power  
MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely  
efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.  
The D2Pak is a surface mount power package capable of  
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power  
capabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurface  
mount package. The D2Pak is suitable for high current applications  
because of its low internal connection resistance and can dissipate up  
to 2.0W in a typical surface mount application.  
D2Pak  
IRF3205S  
TO-262  
IRF3205L  
The through-hole version (IRF3205L) is available for low-profile  
applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
110 ꢀ  
80  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
A
390  
200  
1.3  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
VGS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
62  
Avalanche Current  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
20  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
0.75  
40  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB mounted, steady-state)*  
–––  
www.irf.com  
1
03/09/01  
1234567...10

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IRF3205L 替代型号

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