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IPUH6N03LAG

更新时间: 2024-02-27 06:39:18
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
12页 418K
描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

IPUH6N03LAG 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-251AA包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.82
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级(Eas):160 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):50 A最大漏极电流 (ID):50 A
最大漏源导通电阻:0.0093 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-251AAJESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):83 W最大脉冲漏极电流 (IDM):200 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPUH6N03LAG 数据手册

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IPDH6N03LA G IPFH6N03LA G  
IPSH6N03LA G IPUH6N03LA G  
Values  
typ.  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
min.  
max.  
Dynamic characteristics  
Input capacitance  
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on delay time  
Rise time  
C iss  
-
-
-
-
-
-
-
1800  
690  
85  
2390 pF  
920  
V
GS=0 V, V DS=15 V,  
C oss  
Crss  
t d(on)  
t r  
f =1 MHz  
130  
6
9
8
ns  
5.4  
23  
V
DD=15 V, V GS=10 V,  
I D=25 A, R G=2.7 Ω  
t d(off)  
t f  
Turn-off delay time  
Fall time  
34  
6.3  
4.2  
Gate Charge Characteristics6)  
Gate to source charge  
Gate charge at threshold  
Gate to drain charge  
Switching charge  
Q gs  
-
-
-
-
-
-
5.9  
2.9  
4.1  
7.1  
14  
7.8  
3.8  
6.1  
10  
19  
-
nC  
Q g(th)  
Q gd  
V
V
DD=15 V, I D=25 A,  
GS=0 to 5 V  
Q sw  
Q g  
Gate charge total  
V plateau  
Gate plateau voltage  
3.3  
V
V
V
DS=0.1 V,  
Q g(sync)  
Q oss  
Gate charge total, sync. FET  
Output charge  
-
-
13  
15  
17  
20  
nC  
GS=0 to 5 V  
V
DD=15 V, V GS=0 V  
Reverse Diode  
I S  
Diode continous forward current  
Diode pulse current  
-
-
-
-
50  
A
T C=25 °C  
I S,pulse  
350  
V
GS=0 V, I F=50 A,  
V SD  
Q rr  
Diode forward voltage  
-
-
0.93  
-
1.2  
10  
V
T j=25 °C  
V R=15 V, I F=I S,  
di F/dt =400 A/µs  
Reverse recovery charge  
nC  
6) See figure 16 for gate charge parameter definition  
Rev. 1.3  
page 3  
2006-05-11  

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