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IPU075N03LG

更新时间： 2024-09-25 11:08:59
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
12页 550K
描述
OptiMOS Power-Transistor

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IPU075N03LG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.83其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：50 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A
最大漏极电流 (ID)：50 A最大漏源导通电阻：0.0114 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：47 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：350 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPU075N03LG 数据手册

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IPD075N03L G  
IPS075N03L G  
IPF075N03L G  
IPU075N03L G  
OptiMOS®3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
7.5  
50  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• N-channel, logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Avalanche rated  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
Type  
IPD075N03L G  
IPF075N03L G  
IPS075N03L G  
IPU075N03L G  
Package  
Marking  
PG-TO252-3-11  
075N03L  
PG-TO252-3-23  
075N03L  
PG-TO251-3-11  
075N03L  
PG-TO251-3-21  
075N03L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
50  
43  
49  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
GS=4.5 V, T C=25 °C  
V
GS=4.5 V,  
35  
T C=100 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
350  
50  
Avalanche current, single pulse3)  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
T C=25 °C  
E AS  
V GS  
I D=12 A, R GS=25 Ω  
50  
mJ  
V
±20  
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 1.1  
page 1  
2009-01-14  
1234567...12

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IPU075N03LG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SQD50N03-09-GE3 VISHAY

功能相似

 TRANSISTOR 50 A, 30 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND R
IPS075N03LG INFINEON

功能相似

 OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated

与IPU075N03LG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPU075N03LGBKMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0114ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPU07N03L INFINEON

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 		OptiMOS Buck converter series
IPU07N03LA ETC

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 		?OptiMOS?2 Power MOSFET. 25V. TO251. RDSon = 6.5mOhm. 30A. LL ?
IPU090N03LG INFINEON

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 		OptiMOS3 Power-Transistor
IPU09N03LA INFINEON

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 		OptiMOS 2 Power-Transistor
IPU09N03LAG INFINEON

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 		OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPU09N03LAGBKMA1 INFINEON

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IPU09N03LBG INFINEON

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 		OptiMOS(TM)3 Power-Transistor
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