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IPS075N03LG

更新时间： 2024-09-25 05:39:23
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英飞凌 - INFINEON /
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12页 550K
描述
OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated

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IPS075N03LG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-251
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.73
其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：50 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.0114 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251JESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：47 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：350 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPS075N03LG 数据手册

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IPD075N03L G  
IPS075N03L G  
IPF075N03L G  
IPU075N03L G  
OptiMOS®3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
7.5  
50  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• N-channel, logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Avalanche rated  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
Type  
IPD075N03L G  
IPF075N03L G  
IPS075N03L G  
IPU075N03L G  
Package  
Marking  
PG-TO252-3-11  
075N03L  
PG-TO252-3-23  
075N03L  
PG-TO251-3-11  
075N03L  
PG-TO251-3-21  
075N03L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
50  
43  
49  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
GS=4.5 V, T C=25 °C  
V
GS=4.5 V,  
35  
T C=100 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
350  
50  
Avalanche current, single pulse3)  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
T C=25 °C  
E AS  
V GS  
I D=12 A, R GS=25 Ω  
50  
mJ  
V
±20  
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 1.1  
page 1  
2009-01-14  
1234567...12

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IPS075N03LG 替代型号

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