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IPI80N08S406AKSA1

更新时间： 2024-11-23 21:13:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 230K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN

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IPI80N08S406AKSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：14 weeks
风险等级：5.72雪崩能效等级（Eas）：270 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (ID)：80 A
最大漏源导通电阻：0.0058 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPI80N08S406AKSA1 数据手册

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IPB80N08S4-06  
IPI80N08S4-06, IPP80N08S4-06  
OptiMOS™-T2 Power-Transistor  
Product Summary  
V DS  
80  
5.5  
80  
V
R DS(on),max (SMD version)  
mW  
A
I D  
Features  
• N-channel - Enhancement mode  
PG-TO263-3-2  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
• AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green Product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
4N0806  
4N0806  
4N0806  
IPB80N08S4-06  
IPI80N08S4-06  
IPP80N08S4-06  
PG-TO263-3-2  
PG-TO262-3-1  
PG-TO220-3-1  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
T C=25°C, V GS=10V1)  
I D  
Continuous drain current  
80  
80  
A
T C=100°C, V GS=10V2)  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25°C  
320  
270  
75  
Avalanche energy, single pulse2)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
I D=40A  
mJ  
A
I AS  
-
V GS  
-
±20  
150  
V
P tot  
T C=25°C  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
-
-55 ... +175  
°C  
Rev. 1.0  
page 1  
2014-06-20  
1234567...9

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