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IPD50R520CP

更新时间： 2024-10-30 11:08:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 302K
描述
CoolMOSTM Power Transistor

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IPD50R520CP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-252AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.28
雪崩能效等级（Eas）：166 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.1 A最大漏极电流 (ID)：7.1 A
最大漏源导通电阻：0.52 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：66 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：15 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPD50R520CP 数据手册

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IPD50R520CP  
CoolMOSTM Power Transistor  
Package  
Product Summary  
VDS @Tjmax  
RDS(on),max  
550  
0.520  
13  
V
• Lowest figure of merit RON x Qg  
• Ultra low gate charge  
Ω
Qg,typ  
nC  
• Extreme dv/dt rated  
• High peak current capability  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Quailfied according to JEDEC1) for target applications  
PG-TO252  
CoolMOS CP is designed for:  
• Hard- & Softswitching SMPS topologies  
• DCM PFC for Lamp ballast  
• PWM for Lamp Ballast, PDP and LCD TV  
Type  
Package  
Marking  
IPD50R520CP  
PG-TO252  
5R520P  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
7,1  
4,5  
Continuous drain current  
A
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
15  
I D=2.5 A, V DD=50 V  
I D=2.5 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
166  
mJ  
2),3)  
2),3)  
E AR  
0,25  
2,5  
Avalanche energy, repetitive t AR  
I AR  
A
Avalanche current, repetitive t AR  
MOSFET dv /dt ruggedness  
Gate source voltage  
V DS=0...400 V  
static  
50  
dv /dt  
V GS  
V/ns  
V
±20  
±30  
AC (f >1 Hz)  
T C=25 °C  
P tot  
66  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
-55 ... 150  
Operating and storage temperature  
°C  
Rev. 2.0  
page 1  
2007-11-21  
1234567...10

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与IPD50R520CP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPD50R520CP_08 INFINEON

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 		CoolMos Power Transistor
IPD50R520CPAT INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor
IPD50R520CPBT INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor
IPD50R650CE INFINEON

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 		500V CoolMOS™ CE Power MOSFET
IPD50R650CEBTMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPD50R800CE INFINEON

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 		500V CoolMOS™ CE Power MOSFET
IPD50R800CEBTMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
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