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IPB011N04LG

更新时间: 2024-11-21 11:08:39
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 503K
描述
OptiMOS3 Power Transistor

IPB011N04LG 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-263
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6针数:7
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.65其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas):525 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):180 A最大漏极电流 (ID):180 A
最大漏源导通电阻:0.0014 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G6湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):1260 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IPB011N04LG 数据手册

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