5秒后页面跳转
IPA60R160C6 PDF预览

IPA60R160C6

更新时间: 2024-02-18 18:38:44
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体半导体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
18页 2197K
描述
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

IPA60R160C6 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:7.87
雪崩能效等级(Eas):497 mJ外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):23.8 A最大漏极电流 (ID):23.8 A
最大漏源导通电阻:0.16 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):34 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):70 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IPA60R160C6 数据手册

 浏览型号IPA60R160C6的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPA60R160C6的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPA60R160C6的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPA60R160C6的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPA60R160C6的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPA60R160C6的Datasheet PDF文件第7页 
MOSFET  
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor  
CoolMOS C6  
600V CoolMOS™ C6 Power Transistor  
IPx60R160C6  
Data Sheet  
Rev. 2.1, 2010-02-09  
Final  
Industrial & Multimarket  

与IPA60R160C6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPA60R160C6XKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 23.8A I(D), 600V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPA60R160P6 INFINEON

获取价格

英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率,同时易于在
IPA60R160P7 INFINEON

获取价格

600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS
IPA60R165CP INFINEON

获取价格

CoolMOS Power Transistor
IPA60R165CP_10 INFINEON

获取价格

CoolMos Power Transistor
IPA60R170CFD7 INFINEON

获取价格

600V CoolMOS? CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj
IPA60R180C7 INFINEON

获取价格

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPA60R180C7_15 INFINEON

获取价格

Material Content Data Sheet
IPA60R180C7_1508 INFINEON

获取价格

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPA60R180C7XKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta