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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 7.87 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 497 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 23.8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 23.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 34 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 70 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPA60R160C6XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 23.8A I(D), 600V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPA60R160P6 | INFINEON |
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英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率，同时易于在 |
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| IPA60R160P7 | INFINEON |
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600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS |
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| IPA60R165CP | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor |
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| IPA60R165CP_10 | INFINEON |
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CoolMos Power Transistor |
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| IPA60R170CFD7 | INFINEON |
获取价格 |
600V CoolMOS? CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj |
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| IPA60R180C7 | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| IPA60R180C7_15 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet |
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| IPA60R180C7_1508 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| IPA60R180C7XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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