Datasheet > IPA60R180P7S

IPA60R180P7S

更新时间： 2023-09-03 20:40:04

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
14页	763K
描述
600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPA60R180P7S 数据手册

IPA60R180P7S

MOSFET

PG-TOꢀ220ꢀFP

600VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀPowerꢀDevice

TheꢀCoolMOS™ꢀ7thꢀgenerationꢀplatformꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀfor

highꢀvoltageꢀpowerꢀMOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunction

(SJ)ꢀprincipleꢀandꢀpioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀTheꢀ600V

CoolMOS™ꢀP7ꢀseriesꢀisꢀtheꢀsuccessorꢀtoꢀtheꢀCoolMOS™ꢀP6ꢀseries.ꢀIt

combinesꢀtheꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSJꢀMOSFETꢀwithꢀexcellentꢀease

ofꢀuse,ꢀe.g.ꢀveryꢀlowꢀringingꢀtendency,ꢀoutstandingꢀrobustnessꢀofꢀbody

diodeꢀagainstꢀhardꢀcommutationꢀandꢀexcellentꢀESDꢀcapability.

Furthermore,ꢀextremelyꢀlowꢀswitchingꢀandꢀconductionꢀlossesꢀmake

switchingꢀapplicationsꢀevenꢀmoreꢀefficient,ꢀmoreꢀcompactꢀandꢀmuch

cooler.

Features

Drain

Pin 2

•ꢀSuitableꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀ(PFCꢀandꢀLLC)ꢀdueꢀtoꢀanꢀoutstanding

ꢀꢁcommutationꢀruggedness

•ꢀSignificantꢀreductionꢀofꢀswitchingꢀandꢀconductionꢀlosses

•ꢀExcellentꢀESDꢀrobustnessꢀ>2kVꢀ(HBM)ꢀforꢀallꢀproducts

•ꢀBetterꢀR_DS(on)/packageꢀproductsꢀcomparedꢀtoꢀcompetitionꢀenabledꢀbyꢀa

ꢀꢁlowꢀR_DS(on)*Aꢀ(belowꢀ1Ohm*mm²)

Gate

Pin 1

Source

Pin 3

*1: Internal body diode

*2: Integrated ESD diode

Benefits

•ꢀEaseꢀofꢀuseꢀandꢀfastꢀdesign-inꢀthroughꢀlowꢀringingꢀtendencyꢀandꢀusage

ꢀꢁacrossꢀPFCꢀandꢀPWMꢀstages

•ꢀSimplifiedꢀthermalꢀmanagementꢀdueꢀtoꢀlowꢀswitchingꢀandꢀconduction

ꢀꢁlosses

•ꢀIncreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutionsꢀenabledꢀbyꢀusingꢀproductsꢀwith

ꢀꢁsmallerꢀfootprintꢀandꢀhigherꢀmanufacturingꢀqualityꢀdueꢀtoꢀ>2ꢀkVꢀESD

ꢀꢁprotection

•ꢀSuitableꢀforꢀaꢀwideꢀvarietyꢀofꢀapplicationsꢀandꢀpowerꢀranges

Potentialꢀapplications

PFCꢀstages,ꢀhardꢀswitchingꢀPWMꢀstagesꢀandꢀresonantꢀswitchingꢀstages

forꢀe.g.ꢀꢀꢀPCꢀSilverbox,ꢀAdapter,ꢀLCDꢀ&ꢀPDPꢀTV,ꢀLighting,ꢀServer,ꢀTelecom

andꢀUPS.

Productꢀvalidation

QualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀStandard

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Value

650

180

Unit

mΩ

Q_g,typ

I_D,pulse

E_oss@ 400V

Body diode di_F/dt

2.9

µJ

900

A/µs

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

PG-TO220 FullPAK

Marking

RelatedꢀLinks

IPA60R180P7S

60S180P7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.2,ꢀꢀ2020-02-07

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

与IPA60R180P7S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPA60R180P7SXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPA60R180P7XKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPA60R190C6	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPA60R190C6XKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20.2A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPA60R190E6	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS E6 Power Transistor
IPA60R190P6	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPA60R190P6_15	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPA60R190P6XKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPA60R199CP	INFINEON	获取价格	CoolMOS Power Transistor
IPA60R199CP_08	INFINEON	获取价格	CoolMos Power Transistor

与IPA60R180P7S相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

45
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

33
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

72
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

80

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPA60R180P7S

IPA60R180P7S 数据手册

与IPA60R180P7S相关器件

与IPA60R180P7S相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPA60R180P7S

IPA60R180P7S 数据手册

与IPA60R180P7S相关器件

与IPA60R180P7S相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？