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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 18 weeks |
| 风险等级： | 1.71 | 雪崩能效等级（Eas）： | 53 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 45 A |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPA60R180P7 | INFINEON |
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600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS |
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| IPA60R180P7S | INFINEON |
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600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS |
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| IPA60R180P7SXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IPA60R180P7XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IPA60R190C6 | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| IPA60R190C6XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20.2A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPA60R190E6 | INFINEON |
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600V CoolMOS E6 Power Transistor |
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| IPA60R190P6 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| IPA60R190P6_15 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| IPA60R190P6XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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