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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.67 | 雪崩能效等级（Eas）： | 235 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 84 A | 最大漏极电流 (ID)： | 84 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0032 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 41 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 336 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPA032N06N3GXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 60V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPA037N08N3G | INFINEON |
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OptiMOS(TM)3 Power-Transistor |
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| IPA040N06N | INFINEON |
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OptiMOS ™ 5 60V 针对交换模式电源 (SMPS)中的同步整流进行了优化，例如 |
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| IPA040N06NM5S | INFINEON |
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采用 TO-220 FullPAK 封装的 60V OptiMOS?5 MOSFET （I |
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| IPA040N08NM5S | INFINEON |
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英飞凌的 80V OptiMOS™ 5 功率 MOSFET （IPA040N08NM5S） |
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| IPA041N04N G | INFINEON |
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英飞凌的 40V 和 60V 产品系列不仅具有行业内极低的 R DS(on)，同时还具有快 |
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| IPA045N10N3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
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| IPA045N10N3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| IPA050N10NM5S | INFINEON |
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The OptiMOS? 5 power MOSFET 100V in TO-220 Fu |
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| IPA052N08NM5S | INFINEON |
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This 80V OptiMOS? power MOSFET (IPA052N08NM5S |
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