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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 25 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 28.57 MHz | JESD-30 代码： | R-PDSO-J28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 36864 bit |
| 内存集成电路类型： | OTHER FIFO | 内存宽度： | 9 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 4096 words |
| 字数代码： | 4000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 4KX9 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ28,.34 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.0002 A | 子类别： | FIFOs |
| 最大压摆率： | 0.18 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IMUI-67204V-35 | TEMIC |
获取价格 |
FIFO, 4KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, |
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| IMUI-67204V-45 | TEMIC |
获取价格 |
FIFO, 4KX9, 45ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, |
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| IMUR860 | RECTRON |
获取价格 |
Reverse Voltage Vr : 600 V;Forward Current Io : 8.0 A;Max Surge Current : 110 A;Forward Vo |
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| IMW120R007M1H | INFINEON |
获取价格 |
采用TO247-3封装的1200V 7mΩ??CoolSiCTM?碳化硅MOSFET基于先 |
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| IMW120R014M1H | INFINEON |
获取价格 |
采用TO247-3封装的1200V 14mΩ??CoolSiCTM?碳化硅MOSFET基于 |
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| IMW120R020M1H | INFINEON |
获取价格 |
采用TO247-3封装的1200V 20mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于 |
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| IMW120R030M1H | INFINEON |
获取价格 |
IMW120R030M1H是采用TO247-3封装的1200 V、30 mΩ CoolSi |
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| IMW120R040M1H | INFINEON |
获取价格 |
采用TO247-3封装的1200V 40mΩ??CoolSiCTM?碳化硅MOSFET基于 |
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| IMW120R045M1 | INFINEON |
获取价格 |
1200 V, 45 mΩ的 CoolSiC™碳化硅MOSFET 采用TO247-3封装， |
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| IMW120R060M1H | INFINEON |
获取价格 |
IMW120R060M1H是采用TO247-3封装的1200 V、60 mΩ CoolSi |
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