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英飞凌 - INFINEON | 开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
16页 | 1237K | |
描述 | ||
采用TO247-3封装的1200V 14mΩ??CoolSiCTM?碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺,该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此,CoolSiC?碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构,如功率因素校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IMW120R020M1H | INFINEON |
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采用TO247-3封装的1200V 20mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于 | |
IMW120R030M1H | INFINEON |
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IMW120R030M1H是采用TO247-3封装的1200 V、30 mΩ CoolSi | |
IMW120R040M1H | INFINEON |
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采用TO247-3封装的1200V 40mΩ??CoolSiCTM?碳化硅MOSFET基于 | |
IMW120R045M1 | INFINEON |
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1200 V, 45 mΩ的 CoolSiC™碳化硅MOSFET 采用TO247-3封装, | |
IMW120R060M1H | INFINEON |
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IMW120R060M1H是采用TO247-3封装的1200 V、60 mΩ CoolSi | |
IMW120R090M1H | INFINEON |
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IMW120R090M1H是采用TO247-3封装的1200 V、90 mΩCoolSiC | |
IMW120R140M1H | INFINEON |
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IMW120R140M1H是采用TO247-3封装的1200 V、140 mΩ CoolS | |
IMW120R220M1H | INFINEON |
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IMW120R220M1H是采用TO247-3封装的1200 V、220 mΩ CoolS | |
IMW120R350M1H | INFINEON |
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IMW120R350M1H采用TO247-3封装的1200 V、350 mΩ CoolSi | |
IMW65R015M2H | INFINEON |
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The CoolSiC? MOSFET 650 V, 15 mΩ G2 in a TO-2 |