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开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 17页 | 1172K |  |
| 描述 | ||
| IMW120R060M1H是采用TO247-3封装的1200 V、60 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。 与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 独立于温度的低开关损耗以及无阈值导通特性。因此，CoolSiC™ MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。 | ||
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IMW120R090M1H | INFINEON |
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IMW120R090M1H是采用TO247-3封装的1200 V、90 mΩCoolSiC |
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| IMW120R140M1H | INFINEON |
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IMW120R140M1H是采用TO247-3封装的1200 V、140 mΩ CoolS |
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| IMW120R220M1H | INFINEON |
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IMW120R220M1H是采用TO247-3封装的1200 V、220 mΩ CoolS |
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| IMW120R350M1H | INFINEON |
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IMW120R350M1H采用TO247-3封装的1200 V、350 mΩ CoolSi |
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| IMW65R015M2H | INFINEON |
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The CoolSiC? MOSFET 650 V, 15 mΩ G2 in a TO-2 |
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| IMW65R020M2H | INFINEON |
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The CoolSiC? MOSFET 650 V, 20 mΩ G2 in a TO-2 |
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| IMW65R027M1H | INFINEON |
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CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备 |
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| IMW65R030M1H | INFINEON |
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CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备 |
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| IMW65R039M1H | INFINEON |
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CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备 |
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| IMW65R040M2H | INFINEON |
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The CoolSiC? MOSFET 650 V, 40 mΩ G2 in a TO-2 |
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