Datasheet > IMW120R045M1

IMW120R045M1

更新时间： 2024-11-08 11:15:27

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
页数	文件大小	规格书
17页	1380K
描述
1200 V, 45 mΩ的 CoolSiC™碳化硅MOSFET 采用TO247-3封装，基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具可靠性与性能优势。与IGBT和MOSFET等基于传统硅（Si）的开关相比，碳化硅MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、独立于温度的低开关损耗以及无阈值导通特性。因此，CoolSiC™ MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IMW120R045M1 数据手册

IMW120R045M1

CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET

Silicon Carbide MOSFET

Drain

pin 2

Features



Very low switching losses

Gate

pin 1

Threshold-free on state characteristic

Wide gate-source voltage range

Source

pin 3

Benchmark gate threshold voltage, V_GS(th)= 4.5V

0V turn-off gate voltage

Fully controllable dv/dt

Commutation robust body diode, ready for synchronous rectification

Temperature independent turn-off switching losses

Benefits



Efficiency improvement

Enabling higher frequency

Increased power density

Cooling effort reduction

Reduction of system complexity and cost

Potential applications



Energy generation

Solar string inverter and solar optimizer



Industrial power supplies

Industrial UPS

Industrial SMPS



Infrastructure – Charge

Charger

Product validation

Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC 47/20/22

Table 1

Type

Key Performance and Package Parameters

V_DS

I_D

R_DS(on)

(T_vj= 25°C, I_D= 20A, V_GS= 15V)

T_j,max

Marking

120M1045

Package

(T_C= 25°C, R_th(j-c,max)

)

IMW120R045M1

1200V

52A

45mΩ

175°C

PG-TO247-3

Datasheet

Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document

page 1 of 17

2.6

2020-12-11

www.infineon.com

12 3 4 5 6 7...17

中文翻译

下载PDF

与IMW120R045M1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IMW120R060M1H	INFINEON	获取价格	IMW120R060M1H是采用TO247-3封装的1200 V、60 mΩ CoolSi
IMW120R090M1H	INFINEON	获取价格	IMW120R090M1H是采用TO247-3封装的1200 V、90 mΩCoolSiC
IMW120R140M1H	INFINEON	获取价格	IMW120R140M1H是采用TO247-3封装的1200 V、140 mΩ CoolS
IMW120R220M1H	INFINEON	获取价格	IMW120R220M1H是采用TO247-3封装的1200 V、220 mΩ CoolS
IMW120R350M1H	INFINEON	获取价格	IMW120R350M1H采用TO247-3封装的1200 V、350 mΩ CoolSi
IMW65R015M2H	INFINEON	获取价格	The CoolSiC? MOSFET 650 V, 15 mΩ G2 in a TO-2
IMW65R020M2H	INFINEON	获取价格	The CoolSiC? MOSFET 650 V, 20 mΩ G2 in a TO-2
IMW65R027M1H	INFINEON	获取价格	CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备
IMW65R030M1H	INFINEON	获取价格	CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备
IMW65R039M1H	INFINEON	获取价格	CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备