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RECTRON | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 278K | |
描述 | ||
Reverse Voltage Vr : 600 V;Forward Current Io : 8.0 A;Max Surge Current : 110 A;Forward Voltage Vf : 1.6 V;Reverse Current Ir : 1.0 uA;Recovery Time : 35 ns;Package / Case : ITO-220A;Mounting Style : Through Hole;Notes : 600 V,8.0 A,35 ns,ITO-220A |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IMW120R007M1H | INFINEON |
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采用TO247-3封装的1200V 7mΩ??CoolSiCTM?碳化硅MOSFET基于先 | |
IMW120R014M1H | INFINEON |
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采用TO247-3封装的1200V 14mΩ??CoolSiCTM?碳化硅MOSFET基于 | |
IMW120R020M1H | INFINEON |
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采用TO247-3封装的1200V 20mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于 | |
IMW120R030M1H | INFINEON |
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IMW120R030M1H是采用TO247-3封装的1200 V、30 mΩ CoolSi | |
IMW120R040M1H | INFINEON |
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采用TO247-3封装的1200V 40mΩ??CoolSiCTM?碳化硅MOSFET基于 | |
IMW120R045M1 | INFINEON |
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1200 V, 45 mΩ的 CoolSiC™碳化硅MOSFET 采用TO247-3封装, | |
IMW120R060M1H | INFINEON |
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IMW120R060M1H是采用TO247-3封装的1200 V、60 mΩ CoolSi | |
IMW120R090M1H | INFINEON |
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IMW120R090M1H是采用TO247-3封装的1200 V、90 mΩCoolSiC | |
IMW120R140M1H | INFINEON |
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IMW120R140M1H是采用TO247-3封装的1200 V、140 mΩ CoolS | |
IMW120R220M1H | INFINEON |
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IMW120R220M1H是采用TO247-3封装的1200 V、220 mΩ CoolS |