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英飞凌 - INFINEON | 开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
17页 | 1173K | |
描述 | ||
IMW120R090M1H是采用TO247-3封装的1200 V、90 mΩCoolSiC™ SiC MOSFET,它基于先进的沟槽半导体工艺,该工艺经过优化,兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅(Si)基开关相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 独立于温度的低开关损耗以及无阈值导通特性。因此,CoolSiC™ MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构,如功率因素校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IMW120R140M1H | INFINEON |
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IMW120R140M1H是采用TO247-3封装的1200 V、140 mΩ CoolS | |
IMW120R220M1H | INFINEON |
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IMW120R220M1H是采用TO247-3封装的1200 V、220 mΩ CoolS | |
IMW120R350M1H | INFINEON |
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IMW120R350M1H采用TO247-3封装的1200 V、350 mΩ CoolSi | |
IMW65R015M2H | INFINEON |
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The CoolSiC? MOSFET 650 V, 15 mΩ G2 in a TO-2 | |
IMW65R020M2H | INFINEON |
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The CoolSiC? MOSFET 650 V, 20 mΩ G2 in a TO-2 | |
IMW65R027M1H | INFINEON |
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CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性,从而增强了设备 | |
IMW65R030M1H | INFINEON |
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CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性,从而增强了设备 | |
IMW65R039M1H | INFINEON |
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CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性,从而增强了设备 | |
IMW65R040M2H | INFINEON |
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The CoolSiC? MOSFET 650 V, 40 mΩ G2 in a TO-2 | |
IMW65R048M1H | INFINEON |
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CoolSiC? MOSFET?技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性,从而增强了设备 |