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IMW65R030M1H

更新时间： 2024-09-18 11:15:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 半导体
页数 文件大小 规格书
15页 1406K
描述
CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。IMW65R030M1H 650V CoolSiC™ MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术，并经过优化，在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低损耗，并在运行中实现最佳可靠性。 此 SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装，以提供经济高效的性能。

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IMW65R030M1H  
MOSFET  
PG-TOꢀ247-3  
650ꢀVꢀCoolSiCªꢀM1ꢀSiCꢀTrenchꢀPowerꢀDevice  
Theꢀ650ꢀVꢀCoolSiC™ꢀisꢀbuiltꢀoverꢀtheꢀsolidꢀsiliconꢀcarbideꢀtechnology  
developedꢀinꢀInfineonꢀinꢀmoreꢀthanꢀ20ꢀyears.ꢀLeveragingꢀtheꢀwideꢀbandgap  
SiCꢀmaterialꢀcharacteristics,ꢀtheꢀ650VꢀCoolSiC™ꢀMOSFETꢀoffersꢀaꢀunique  
combinationꢀofꢀperformance,ꢀreliabilityꢀandꢀeaseꢀofꢀuse.ꢀSuitableꢀforꢀhigh  
temperatureꢀandꢀharshꢀoperations,ꢀitꢀenablesꢀtheꢀsimplifiedꢀandꢀcost  
effectiveꢀdeploymentꢀofꢀtheꢀhighestꢀsystemꢀefficiency.  
Tab  
1
2
3
Features  
•ꢀOptimizedꢀswitchingꢀbehaviorꢀatꢀhigherꢀcurrents  
•ꢀCommutationꢀrobustꢀfastꢀbodyꢀdiodeꢀwithꢀlowꢀQrr  
•ꢀSuperiorꢀgateꢀoxideꢀreliability  
•ꢀTj,max=175°Cꢀandꢀexcellentꢀthermalꢀbehavior  
•ꢀLowerꢀRDS(on)ꢀandꢀpulseꢀcurrentꢀdependencyꢀonꢀtemperature  
•ꢀIncreasedꢀavalancheꢀcapability  
Drain  
Pin 2, Tab  
•ꢀCompatibleꢀwithꢀstandardꢀdriversꢀ(recommendedꢀdrivingꢀvoltage:ꢀ18V)  
*1  
Gate  
Pin 1  
Benefits  
Source  
Pin 3  
*1: Internal body diode  
•ꢀUniqueꢀcombinationꢀofꢀhighꢀperformance,ꢀhighꢀreliabilityꢀandꢀeaseꢀofꢀuse  
•ꢀEaseꢀofꢀuseꢀandꢀintegration  
•ꢀSuitableꢀforꢀtopologiesꢀwithꢀcontinuousꢀhardꢀcommutation  
•ꢀHigherꢀrobustnessꢀandꢀsystemꢀreliability  
•ꢀEfficiencyꢀimprovement  
•ꢀReducedꢀsystemꢀsizeꢀleadingꢀtoꢀhigherꢀpowerꢀdensity  
Potentialꢀapplications  
•ꢀSMPS  
•ꢀUPSꢀ(uninterruptableꢀpowerꢀsupplies)  
•ꢀSolarꢀPVꢀinverters  
•ꢀEVꢀchargingꢀinfrastructure  
•ꢀEnergyꢀstorageꢀandꢀbatteryꢀformation  
•ꢀClassꢀDꢀamplifiers  
Productꢀvalidation  
FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDSꢀ@ꢀTJꢀ=ꢀ25ꢀ°C  
RDS(on),typ  
Value  
650  
30  
Unit  
V
mΩ  
mΩ  
nC  
A
RDS(on),max  
42  
QG,typ  
48  
ID,pulse  
143  
114  
17.2  
Qossꢀ@ꢀ400ꢀV  
Eossꢀ@ꢀ400ꢀV  
nC  
µJ  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IMW65R030M1H  
PG-TO247-3  
65R030M1  
see Appendix A  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2021-03-17  
1234567...15

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与IMW65R030M1H相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IMW65R039M1H INFINEON

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 		CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备
IMW65R040M2H INFINEON

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 		The CoolSiC? MOSFET 650 V, 40 mΩ G2 in a TO-2
IMW65R048M1H INFINEON

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 		CoolSiC? MOSFET?技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备
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