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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> IMH14A
IMH14A PDF预览

IMH14A

更新时间： 2024-11-03 22:33:47
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管数字晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 66K
描述
General purpose (dual digital transistors)

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IMH14A 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SC-74
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.5
Is Samacsys：N其他特性：DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

IMH14A 数据手册

 浏览型号IMH14A的Datasheet PDF文件第2页 
EMG6 / UMG6N / UMH14N / FMG6A / IMH14A / IMH15A  
Transistors  
General purpose (dual digital transistors)  
EMG6 / UMG6N / UMH14N / FMG6A /  
IMH14A / IMH15A  
!Features  
1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMT package.  
!Equivalent circuit  
IMH15A  
EMG6 / UMG6N  
FMG6  
UMH14N  
IMH14A  
(3)  
(2)  
(1)  
(4)  
(5)  
(6)  
(4)  
(5)  
(6)  
(3)  
(2)  
(1)  
(3)  
(4)  
(5)  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
(4)  
(5)/(6)  
(2)  
(1)  
(4) (5)  
(6)  
(3) (2)  
(1)  
(3)  
(2)  
(1)  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
Collector-base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
50  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
50  
5
V
V
I
C
100  
mA  
EMG6 / UMG6N / UMH14N  
FMG6A / IMH14A / IMH15A  
150(TOTAL)  
300(TOTAL)  
150  
Collector power  
dissipation  
Pc  
mW  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
°C  
°C  
Tstg  
−55~+150  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
Typ.  
−
−
Max.  
−
−
Conditions  
Unit  
V
50  
50  
5
I
I
I
C
=50µA  
=1mA  
V
C
−
−
−
−
V
E
=50µA  
CB=50V  
EB=4V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
0.5  
0.5  
0.3  
600  
−
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
−
100  
−
−
I
C/I  
B
=5mA/0.5mA  
=5V/1mA  
h
250  
250  
47  
−
MHz  
kΩ  
V
CE/I  
C
Transition frequency  
f
T
V
CE=10V, I  
E
=−5mA, f=100MHz  
∗
Input resistance  
R1  
32.9  
61.1  
−
∗Transition frequency of the device.  
!Package, marking, and packaging specifications  
Type  
EMG6  
EMT5  
G6  
UMG6N UMH14N FMG6A  
IMH14A  
SMT6  
H14  
IMH15A  
SMT6  
H15  
Package  
UMT5  
G6  
UMT6  
H14  
SMT5  
G6  
Marking  
Code  
T2R  
TR  
TR  
T148  
3000  
T108  
T110  
3000  
Basic ordering unit (pieces)  
8000  
3000  
3000  
3000  
12

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与IMH14A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IMH14AT110 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon,
IMH15 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO
IMH15A ROHM

获取价格

 		General purpose (dual digital transistors)
IMH15AT108 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon,
IMH15AT110 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SC-74,
IMH1A ROHM

获取价格

 		General purpose (dual digital transistors)
IMH1A TYSEMI

获取价格

 		Input voltage:Vin=40V, Output current: IO=30mA
IMH1A KEXIN

获取价格

 		Dual Digital Transistors
IMH1AT108 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon,
IMH1AT109 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon,

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