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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> IMH20TR1G
IMH20TR1G PDF预览

IMH20TR1G

更新时间： 2024-10-29 23:15:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 34K
描述
Dual Bias Resistor Transistor

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IMH20TR1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-74R包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.51
Is Samacsys：N其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：15 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IMH20TR1G 数据手册

 浏览型号IMH20TR1G的Datasheet PDF文件第2页 
IMH20TR1G  
Dual Bias Resistor  
Transistor  
NPN Surface Mount  
• Low V (sat) 80 mV max at IC/IB = 50 mA/2.5 mA  
CC  
http://onsemi.com  
• High Current: I = 600 mA max  
C
• This is a Pb−Free Device  
(6)  
(4)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
Rating  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
Vdc  
(5)  
R1  
Collector−Base Voltage  
Collector−Emitter Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
Q2  
R1  
V
V
15  
Vdc  
Q
1
5.0  
Vdc  
(2)  
Collector Current − Continuous  
I
C
600  
mAdc  
(1)  
(3)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Power Dissipation*  
Symbol  
Max  
300  
Unit  
mW  
°C  
SC−74  
P
D
Junction Temperature  
Storage Temperature  
T
J
150  
T
stg  
−55 to +150  
°C  
MARKING  
DIAGRAM  
*Total for both Transistors.  
6
Q1 + Q2: NPN  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
1
H20  
M
(T = 25°C unless otherwise noted)  
SC−74R  
318AA  
Style 21  
A
Characteristic  
Symbol  
Min Max Unit  
H20 = Specific Device Code  
= Date Code  
Collector−Emitter Breakdown Voltage  
V
15  
30  
5.0  
−
−
−
−
Vdc  
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
M
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector−Base Breakdown Voltage  
(I = 50 mAdc, I = 0)  
V
V
C
E
Emitter−Base Breakdown Voltage  
(I = 50 mAdc, I = 0)  
ORDERING INFORMATION  
E
C
†
Device  
IMH20TR1G  
Package  
Shipping  
Collector−Base Cutoff Current  
(V = 20 Vdc, I = 0)  
I
0.5 mAdc  
0.5 mAdc  
CBO  
CB  
E
SC−74R  
3000/Tape & Reel  
Emitter−Base Cutoff Current  
(V = 4.0 V, I = 0)  
I
−
EBO  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
EB  
C
DC Current Gain (Note 1)  
(V = 5.0 Vdc, I = 50 mAdc)  
h
FE  
100  
−
600  
80  
−
CE  
C
Collector−Emitter Saturation Voltage  
(I = 50 mAdc, I = 2.5 mAdc)  
V
mV  
kW  
CE(sat)  
C
B
Input Resistance  
R
1.54 2.86  
1
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, D.C. ≤ 2%.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
Publication Order Number:  
January, 2004 − Rev. 0  
IMH20TR1G/D  
 
12

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