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IMH4A PDF预览

IMH4A

更新时间： 2024-09-12 22:33:47
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管数字晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 71K
描述
General purpose (dual digital transistors)

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IMH4A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-74
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.51
其他特性：DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

IMH4A 数据手册

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EMG4 / EMH4 / UMG4N / UMH4N / UMH8N /  
FMG4A / IMH4A / IMH8A  
Transistors  
General purpose (dual digital transistors)  
EMG4 / EMH4 / UMG4N / UMH4N / UMH8N  
FMG4A / IMH4A / IMH8A  
!Features  
1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMT package.  
!Equivalent circuits  
EMG4 / UMG4N  
EMH4 / UMH4N  
UMH8N  
(3)  
(2)  
(1)  
(3)  
(2)  
(1)  
(3)  
(2)  
(1)  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
(4)  
(5)/(6)  
(4)  
(5)  
(6)  
(6)  
(4) (5)  
(6)  
(6)  
FMG4A  
IMH4A  
IMH8A  
(4)  
(5)  
(4)  
(5)  
(3)  
(4)  
(5)  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
(2)  
(1)  
(3)  
(2)  
(1)  
(3) (2)  
(1)  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
50  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
50  
V
5
V
Collector current  
I
C
100  
mA  
∗1  
∗2  
EMG4 / EMH4 / UMG4N / UMH4N / UMH8N  
Power  
150(TOTAL)  
300(TOTAL)  
150  
Pd  
mW  
dissipation  
FMG4A / IMH4A / IMH8A  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
°C  
°C  
Tstg  
−55~+150  
∗1 120mW per element must not be exceeded.  
∗2 200mW per element must not be exceeded.  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
−
−
Conditions  
Unit  
V
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
50  
50  
5
−
−
I
I
I
C
=50µA  
=1mA  
V
C
−
−
−
−
V
E
=50µA  
CB=50V  
EB=4V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
0.5  
0.5  
0.3  
600  
−
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
−
100  
−
−
I
C
/I  
CE=5V, I  
CE=10V, I  
B
=10mA/1mA  
h
250  
250  
10  
−
MHz  
kΩ  
V
V
C
=1mA  
=−5mA, f=100MHz  
∗
Transition frequency  
f
T
E
Input resistance  
R1  
7
13  
−
∗Transition frequency of the device.  
123

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