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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.78 | 其他特性： | DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IMH8N | MCC |
获取价格 |
Tape&Reel: 3Kpcs/Reel; |
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| IMH9 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SO |
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| IMH9A | ROHM |
获取价格 |
General purpose (dual digital transistors) |
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| IMH9AFRAT108 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
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| IMH9AT108 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, |
|
| IMH9AT109 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, |
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| IMH9AT110 | ROHM |
获取价格 |
NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) |
|
| IMHH1GP03A1F1C-08D | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX72, CMOS, GREEN, DIMM-240 |
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| IMHH1GP03A1F1C-08E | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX72, CMOS, GREEN, DIMM-240 |
|
| IMHH1GP03A1F1C-10G | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX72, CMOS, GREEN, DIMM-240 |
|
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