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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> IMH6A
IMH6A PDF预览

IMH6A

更新时间： 2024-10-29 22:33:47
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管数字晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 37K
描述
General purpose (dual digital transistors)

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IMH6A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SC-74
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.48
Is Samacsys：N其他特性：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1.2
最大集电极电流 (IC)：0.03 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：68
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

IMH6A 数据手册

 浏览型号IMH6A的Datasheet PDF文件第2页 
EMH6 / UMH6N / IMH6A  
Transistors  
General purpose (dual digital transistors)  
EMH6 / UMH6N / IMH6A  
zExternal dimensions (Units : mm)  
zFeatures  
1) Two DTC144E chips in a EMT or UMT or SMT  
package.  
EMH6  
( )  
3
( )  
2
( )  
1
( )  
4
( )  
5
( )  
6
1.2  
1.6  
zEquivalent circuit  
EMH6 / UMH6N  
IMH6A  
(4) (5)  
(3)  
(2)  
(1)  
(6)  
R1  
R1  
ROHM : EMT6  
Each lead has same dimensions  
R2  
R2  
R2  
R2  
R1  
R1  
UMH6N  
(4) (5)  
(6)  
(3) (2)  
(1)  
1.25  
2.1  
zPackage, marking, and packaging specifications  
Type  
Package  
EMH6  
EMT6  
H6  
UMH6N  
UMT6  
H6  
IMH6A  
SMT6  
H6  
Marking  
0.1Min.  
Code  
T2R  
TR  
T108  
3000  
ROHM : UMT6  
EIAJ : SC-88  
Each lead has same dimensions  
Basic ordering unit (pieces)  
8000  
3000  
IMH6A  
zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Supply voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
VCC  
50  
40  
V
1.6  
2.8  
Input voltage  
VIN  
V
−10  
Output current  
Power dissipation  
I
O
30  
mA  
EMH6 / UMH6N  
IMH6A  
150(TOTAL)  
300(TOTAL)  
150  
1
2
Pd  
mW  
0.3to0.6  
Junction temperature  
Storage temperature  
1 120mW per element must not be exceeded.  
2 200mW per element must not be exceeded.  
Tj  
°C  
°C  
ROHM : SMT6  
EIAJ : SC-74  
Each lead has same dimensions  
Tstg  
−55~+150  
zElectrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
−
Max.  
0.5  
−
Conditions  
=100µA  
=2mA  
=10mA/0.5mA  
=5V  
CC=50V, V  
/V =5mA/5V  
Unit  
V
V
I (off)  
−
3
V
CC=5V, I  
=0.3V, I  
/I  
O
Input voltage  
VI (on)  
−
VO  
O
Output voltage  
Input current  
VO (on)  
−
0.1  
−
0.3  
0.18  
0.5  
−
V
mA  
µA  
−
I
O I  
I
I
−
V
V
I
Output current  
DC current gain  
Input resistance  
Resistance ratio  
I
O (off)  
−
−
I=0V  
G
I
68  
32.9  
0.8  
−
−
I
O
O
R1  
47  
1
61.1  
1.2  
−
kΩ  
−
−
R2  
/ R1  
−
Transition frequency  
f
T
250  
MHz  
V
CE=10V, I  
E
=−5mA, f=100MHz  
Transition frequency of the device.  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IMH6AT108 ROHM

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