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IMH1A PDF预览

IMH1A

更新时间： 2024-11-03 22:33:47
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管数字晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 68K
描述
General purpose (dual digital transistors)

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IMH1A 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.23Is Samacsys：N
其他特性：DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.03 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：56JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IMH1A 数据手册

 浏览型号IMH1A的Datasheet PDF文件第2页 
EMG1 / EMH1 / UMG1N / UMH1N / UMH5N /  
FMG1A / IMH1A / IMH5A  
Transistors  
General purpose (dual digital transistors)  
EMG1 / EMH1 / UMG1N / UMH1N / UMH5N /  
FMG1A / IMH1A / IMH5A  
!Features  
1) Two DTC124E chips in a EMT or UMT or SMT package.  
!Circuit schematic  
EMG1 / UMG1N  
FMG1A  
EMH1 / UMH1N  
IMH1A  
UMH5N  
IMH5A  
(3)  
(2)  
(1)  
(4)  
(5)  
(6)  
(3)  
(2)  
(1)  
(4)  
(5)  
(6)  
(3)  
(2)  
(1)  
(3)  
(4)  
(5)  
R1  
R1  
R2  
R2  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R2  
R2  
R2  
R2  
R2  
R2  
R2  
R2  
R1  
R1  
R2  
R2  
R1  
R1  
(4)  
(5)/(6)  
(2)  
(1)  
(4) (5)  
(6)  
(3) (2)  
(1)  
(4)  
(5)  
(6)  
(3)  
(2)  
(1)  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
50  
Unit  
V
Supply voltage  
VCC  
40  
Input voltage  
V
IN  
V
−10  
30  
Output current  
I
O
mA  
EMG1 / EMH1 / UMG1N / UMH1N / UMG5N  
FMG1A / IMH1A / IMH5A  
150(TOTAL)  
300(TOTAL)  
150  
∗1  
∗2  
Power dissipation  
Pd  
mW  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
°C  
°C  
Tstg  
−55~+150  
∗1 120mW per element must not be exceeded.  
∗2 200mW per element must not be exceeded.  
!Electrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
−
Typ.  
−
−
Max.  
0.5  
−
Unit  
V
Conditions  
=100µA  
=5mA  
=0.5mA  
V
V
I (off)  
V
CC=5V, I  
=0.2V, I  
=10mA, I  
=5V  
CC=50V, V  
=5V, I =5mA  
O
Input voltage  
I (on)  
3
V
O
O
Output voltage  
Input current  
V
O (on)  
−
−
−
0.1  
−
−
0.3  
0.36  
0.5  
−
V
mA  
µA  
−
I
O
I
I
I
V
V
V
I
Output current  
DC current gain  
Input resistance  
Resistance ratio  
I
O (off)  
I
=0V  
G
I
56  
15.4  
0.8  
−
O
O
R1  
22  
1
28.6  
1.2  
kΩ  
−
−
−
R2 / R1  
!Package, marking, and packaging specifications  
Type  
EMG1  
EMT5  
G1  
EMH1  
EMT5  
H1  
UMG1N  
UMT5  
G1  
UMH1N  
UMT6  
H1  
UMH5N  
UMT6  
H5  
FMG1A  
SMT5  
G1  
IMH1A  
SMT6  
H1  
IMH5A  
SMT6  
H5  
Package  
Marking  
Code  
T2R  
T2R  
TR  
TN  
TR  
T148  
3000  
T110  
3000  
T110  
3000  
Basic ordering unit (pieces)  
8000  
8000  
3000  
3000  
3000  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IMH1AT108 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon,
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