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IMD14T108 PDF预览

IMD14T108

更新时间： 2024-09-08 21:15:15
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 54K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, SMT6, SC-74, 6 PIN

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IMD14T108 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-74包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.75其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 45.5
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：82
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

IMD14T108 数据手册

  
IMD14  
Transistors  
IMD14 General purpose  
(dual digital transistors)  
IMD14  
!External dimensions (Units : mm)  
!Features  
1) Two 500 mAdigital transistor chips in a SMT package.  
2) The drive transistors are independent, eliminating  
interference.  
1.6  
2.8  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
0.3to0.6  
V
CC  
50  
Supply voltage  
Each lead has same dimensions  
5
−5  
ROHM : SMT6  
EIAJ : SC-74  
VIN  
Input voltage  
V
I
C
mA  
mW  
°C  
500  
Output current  
Pd  
Tj  
300 (TOTAL)  
150  
∗
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tstg  
−55~+150  
°C  
∗200mW per element must not be exceeded. PNP type negative symbols have been omitted.  
!Package, marking, and packaging specifications  
Part No.  
Package  
Marking  
IMD14  
SMT6  
D14  
Code  
T108  
3000  
Basic ordering unit (pieces)  
!Equivalent circuit  
R1  
R2  
R2  
R1  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
Conditions  
=100µA  
=50mA  
=100mA/5mA  
=3V  
CC=50V , V  
=100mA , V  
V
V
I (off)  
I (on)  
−
1.1  
−
−
−
−
−
−
0.3  
−
0.3  
17  
0.5  
−
V
CC=5V , I  
=0.3V , I  
/I  
O
Input voltage  
V
O
O
V
O (on)  
V
mA  
µA  
−
MHz  
Ω
I
O
I
Output voltage  
Input current  
I
I
−
V
V
I
I
O (off)  
−
82  
−
I
=0V  
=5V  
Output current  
DC current gain  
Transition frequency  
Input resistance  
Resistance ratio  
∗1  
∗2  
G
I
−
I
O
O
∗
1
2
f
T
250  
220  
45.5  
−
286  
V
CE=10V , I  
E
=−50mA , f=100MHz  
∗
R1  
154  
−
−
R
2/R1  
36.3  
54.6  
−
∗
1 Measured using pulse current  
PNP type negative symbols have been omitted.  
∗2 Transition frequency of the device  
1/1  
1

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