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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> IMD2AT110
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IMD2AT110

更新时间： 2024-09-07 22:33:47
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管数字晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 85K
描述
General purpose (dual digital transistors)

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IMD2AT110 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-74
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.3
Is Samacsys：N其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.03 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：56
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN AND PNP最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

IMD2AT110 数据手册

 浏览型号IMD2AT110的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IMD2AT110的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IMD2AT110的Datasheet PDF文件第4页 
EMD2 / UMD2N / IMD2A  
Transistors  
General purpose  
(dual digital transistors)  
EMD2 / UMD2N / IMD2A  
zFeatures  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
1) Both the DTA124E chip and DTC124E chip in a EMT  
or UMT or SMT package.  
EMD2  
2) Mounting possible with EMT6 or UMT6 or SMT6  
automatic mounting machines.  
( )  
3
( )  
2
( )  
1
( )  
4
( )  
5
( )  
6
1.2  
1.6  
3) Transistor elements are independent, eliminating  
interference.  
4) Mounting cost and area can be cut in half.  
Each lead has same dimensions  
ROHM : EMT6  
UMD2N  
Abbreviated symbol : D2  
zStructure  
Epitaxial planar type  
NPN / PNP silicon transistor (Built-in resistor type)  
1.25  
2.1  
The following characteristics apply to both the DTr1 and  
DTr2, however, the “−” sign on DTr2 values for the PNP  
type have been omitted.  
0.1Min.  
Each lead has same dimensions  
ROHM : UMT6  
EIAJ : SC-88  
Abbreviated symbol : D2  
zEquivalent circuit  
IMD2A  
EMD2 / UMD2N  
IMD2A  
(4) (5) (6)  
R
(3) (2) (1)  
R
1
R2  
1
R2  
1.6  
2.8  
DTr  
1
DTr  
1
DTr2  
DTr2  
R
1
=22kΩ  
=22kΩ  
R
1
=22kΩ  
=22kΩ  
R2  
R
2
R1  
R2  
R2  
R1  
(3) (2) (1)  
(4) (5) (6)  
0.3to0.6  
Each lead has same dimensions  
ROHM : SMT6  
EIAJ : SC-74  
zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Abbreviated symbol : D2  
Limits  
Parameter  
Supply voltage  
Symbol  
Unit  
V
V
CC  
50  
40  
Input voltage  
VIN  
V
−10  
30  
I
O
Output current  
mA  
I
C (Max.)  
100  
1
2
EMD2, UMD2N  
150 (TOTAL)  
300 (TOTAL)  
150  
∗
mW  
Power  
dissipation  
Pd  
IMD2A  
∗
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
˚C  
˚C  
Tstg  
−55 to +150  
1 120mW per element must not be exceeded.  
2 200mW per element must not be exceeded.  
∗
∗
Rev.A  
1/3  
1234

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