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IFN146

更新时间： 2024-11-29 22:33:51
品牌 Logo 应用领域
INTERFET 晶体小信号场效应晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
1页 92K
描述
Dual N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor

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IFN146 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W6Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.37
其他特性：LOW NOISE配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：15 pF
JEDEC-95代码：TO-71JESD-30 代码：O-MBCY-W6
元件数量：2端子数量：6
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.375 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IFN146 数据手册

  
01/99  
D-5  
IFN146  
Dual N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor  
Absolute maximum ratings at T = 25¡C  
¥ Low-Noise Audio Amplifier  
¥ Equivalent to Japanese 2SK146  
A
Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage  
– 40 V  
10 mA  
375 mW  
Continuous Forward Gate Current  
Continuous Device Power Dissipation  
Power Derating  
3 mW/°C  
Storage Temperature Range  
– 65°C to 200°C  
At 25°C free air temperature:  
Static Electrical Characteristics  
IFN146  
Typ  
Process NJ450  
Test Conditions  
I = – 1 µA, V = ØV  
Min  
Max  
Unit  
Gate Source Breakdown Voltage  
Gate Reverse Current  
V
– 40  
V
nA  
µA  
V
(BR)GSS  
G
DS  
– 1  
– 1  
V
= – 30V, V = ØV  
GS  
DS  
I
GSS  
V
= – 30V, V = ØV  
T = 150°C  
GS  
DS  
A
Gate Source Cutoff Voltage  
V
– 0.3  
30  
– 1.2  
30  
V
= 10V, I = 1 µA  
GS(OFF)  
DS  
D
Drain Saturation Current (Pulsed)  
I
mA  
V
= 10V, V = ØV  
DSS  
DS  
GS  
Dynamic Electrical Characteristics  
V
= 10V, V = ØV  
Common Source  
Forward Transconductance  
DS  
GS  
g
40  
f = 1 kHz  
f = 1 kHz  
f = 1 kHz  
mS  
pF  
fs  
I
= 5 mA  
DSS  
Common Source Input Capacitance  
C
75  
15  
V
= 10V, V = ØV  
iss  
DS  
GS  
Common Source Reverse  
Transfer Capacitance  
C
V
= 10V, I = ØA  
pF  
DS  
D
rss  
V
= 10V, I = 5 mA  
DS  
D
Noise Figure  
NF  
1
f = 1 kHz  
dB  
R = 100Ω  
G
Differential Gate Source Voltage  
|V – V  
|
20  
mV  
V
= 10V, I = 5 mA  
GS1 GS2  
DS D  
TOÐ71 Package  
Dimensions in Inches (mm)  
Pin Configuration  
1 Source, 2 Gate, 3 Drain,  
5 Source, 6 Gate, 7 Drain  
1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042  
(972) 487-1287 FAX (972) 276-3375  
www.interfet.com  
1

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