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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 20 pF | JEDEC-95代码： | TO-18 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IFN2110 | INTERFET |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IFN363 | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 5MA I(DSS) | TO-226 |
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| IFN40 | INTERFET |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226 |
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| IFN421 | INTERFET |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-78 |
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| IFN422 | INTERFET |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-78 |
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| IFN423 | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 60UA I(DSS) | TO-78 |
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| IFN424 | INTERFET |
获取价格 |
Dual N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor |
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| IFN425 | INTERFET |
获取价格 |
Dual N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor |
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| IFN426 | INTERFET |
获取价格 |
Dual N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor |
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| IFN5114 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 90MA I(DSS) | TO-236AB |
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