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IFN6450

更新时间： 2024-01-16 17:19:04
品牌 Logo 应用领域
INTERFET 晶体小信号场效应晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
1页 93K
描述
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor

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IFN6450 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.38Is Samacsys：N
外壳连接：GATE配置：SINGLE
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：5 pF
JEDEC-95代码：TO-39JESD-30 代码：O-MBCY-W3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.8 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IFN6450 数据手册

  
B-48  
01/99  
IFN6449, IFN6450  
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor  
Absolute maximum ratings at T = 25¡C  
¥ High Voltage  
A
IFN6449  
– 100 V  
– 300 V  
10 mA  
IFN6450  
– 100 V  
– 200 V  
10 mA  
Reverse Gate Source Voltage  
Reverse Gate Drain Voltage  
Continuous Forward Gate Current  
Continuous Device Power Dissipation  
Power Derating  
800 mW  
800 mW  
6.4 mW/°C 6.4 mW/°C  
At 25°C free air temperature:  
Static Electrical Characteristics  
IFN6449  
IFN6450  
Process NJ42  
Test Conditions  
I = – 10 µA, I = ØA  
Min Max Min Max Unit  
Gate Drain Breakdown Voltage  
Gate Source Breakdown Voltage  
V
– 300  
– 100  
– 200  
– 100  
V
V
(BR)GDO  
G
S
V
I = – 10 µA, I = ØA  
(BR)GSO  
G
D
– 100 nA  
– 100 µA  
V
= – 80V, V = ØV  
GS  
DS  
Gate Reverse Current  
I
GSS  
V
= – 80V, V = ØV  
T = 150°C  
GS  
DS  
A
Gate Source Cutoff Voltage  
V
– 2 – 15 – 2 – 15  
V
V
= 30V, I = 4 nA  
GS(OFF)  
DS  
D
Drain Saturation Current (Pulsed)  
I
2
10  
2
10  
mA  
V
= 30V, V = ØV  
DSS  
DS  
GS  
Dynamic Electrical Characteristics  
Common Source Forward  
Transfer Transmittance  
| Y |  
0.5  
3
0.5  
3
mS  
V
= 30V, V = ØV  
f = 1 kHz  
fs  
DS  
GS  
Common Source Output Conductance  
Common Source Input Capacitance  
g
100  
10  
100 µS  
V
= 30V, V = ØV  
f = 1 kHz  
f = 1 MHz  
os  
DS  
GS  
C
10  
pF  
V
= 30V, V = ØV  
iss  
DS  
GS  
Common Source  
Reverse Transfer Capacitance  
C
5
5
pF  
V
= 30V, V = ØV  
f = 1 MHz  
rss  
DS  
GS  
TOÐ39 Package  
Dimensions in Inches (mm)  
Pin Configuration  
1 Source, 2 Drain, 3 Gate & Case  
1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042  
(972) 487-1287 FAX (972) 276-3375  
www.interfet.com  
1

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与IFN6450相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IFN7000 INTERFET

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IFN860 NJSEMI

获取价格

 		N-CHANNEL DUAL SILICON JUNCTION FET
IFO2175-830-FL AXIOMTEK

获取价格

 		Fanless and noiseless operation
IFO2175-850-FL AXIOMTEK

获取价格

 		Fanless and noiseless operation
IFO2175-873_16 AXIOMTEK

获取价格

 		Optional one PCI or PCIe x4 expansion slot
IFO2175-873-NP-DRW AXIOMTEK

获取价格

 		Optional one PCI or PCIe x4 expansion slot
IFO2225-830-FL AXIOMTEK

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 		Fanless and noiseless operation
IFO2225-851-FL AXIOMTEK

获取价格

 		Optional bluetooth/internal WiFi
IFO2225-873 AXIOMTEK

获取价格

 		Supports optional Wall mount, VESA arm and desktop stand
IFO2225-873-NP-DRW AXIOMTEK

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 		Supports optional Wall mount, VESA arm and desktop stand

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