5秒后页面跳转
IFP3306F PDF预览

IFP3306F

更新时间: 2024-02-18 07:40:09
品牌 Logo 应用领域
INTERFET 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 40K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236

IFP3306F 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.84
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):0.09 A最大漏源导通电阻:14 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):8 pF
JEDEC-95代码:TO-236JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IFP3306F 数据手册

  

与IFP3306F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IFP44 ETC

获取价格

TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 1MA I(DSS) | TO-18
IFP5114 ETC

获取价格

TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 30MA I(DSS) | TO-18
IFP5115 ETC

获取价格

TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 15MA I(DSS) | TO-18
IFP5116 ETC

获取价格

TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 5MA I(DSS) | TO-18
IFP75N08 INTEGRAL

获取价格

Transistor
IFPA300 INTERFET

获取价格

Monolithic JFET Preamplifier
IFPA301 INTERFET

获取价格

Monolithic JFET Preamplifier
IFQ06-050NB1HRX300 TDK

获取价格

无线充电/NFC磁性片
IFQ06-050NB300X200 TDK

获取价格

无线充电/NFC磁性片
IFQ06-050RN1HRX300 TDK

获取价格

无线充电/NFC磁性片