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IFN2110

更新时间: 2024-01-20 13:27:17
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INTERFET 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 36K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-18

IFN2110 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.84
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):0.2 A
最大漏源导通电阻:4 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):8 pFJEDEC-95代码:TO-18
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IFN2110 数据手册

  

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