5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IFN423
IFN423 PDF预览

IFN423

更新时间： 2024-11-29 23:58:31
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
1页 69K
描述
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 60UA I(DSS) | TO-78

阅读下载

中文翻译

获取价格

IFN423 数据手册

  
01/99  
B-41  
IFN421, IFN422, IFN423  
Dual N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor  
Absolute maximum ratings at T = 25¡C  
¥ Very High Input Impedance  
Differential Amplifiers  
¥ Electrometers  
A
Device Dissipation (Derate 3.2 mW/°C to 50°C)  
400 mW  
750 mW  
– 65°C to 200°C  
Total Device Dissipation (Derate 6 mW/°C to 150°C)  
Storage Temperature Range  
At 25°C free air temperature:  
Static Electrical Characteristics  
IFN421, IFN422, IFN423  
Process NJ01  
Test Conditions  
I = – 1 µA, V = ØV  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Gate Source Breakdown Voltage  
Gate to Gate Breakdown Voltage  
V
– 40  
±40  
– 60  
V
V
(BR)GSS  
G
DS  
BV  
I = – 1 µA, I = ØA, I = ØA  
G D S  
G1G2  
– 1  
– 1  
pA  
nA  
pA  
pA  
V
V
= – 20V, V = ØV  
GS  
DS  
Gate Reverse Current  
Gate Operating Current  
I
GSS  
V
= – 20V, V = ØV  
T = +125°C  
GS  
DS  
A
– 0.25  
– 250  
– 2  
V
= 10V, I = 30 µA  
DS  
D
I
G
V
= 10V, I = 30 µA  
T = +125°C  
DS  
D
A
Gate Source Cutoff Voltage  
Gate Source Voltage  
V
– 0.4  
60  
V
= 10V, I = 1 nA  
GS(OFF)  
DS  
D
V
– 1.8  
1000  
V
V
= 10V, I = 30 µA  
GS  
DS  
D
Drain Saturation Current (Pulsed)  
I
µA  
V
= 10V, V = Ø V  
DSS  
DS  
GS  
Dynamic Electrical Characteristics  
Common Source Forward Transconductance g  
100  
1500  
3
µS  
µS  
V
= 10V, V = Ø V  
f = 1 kHz  
f = 1 kHz  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
f = 10 Hz  
fs  
DS  
GS  
Common Source Output Conductance  
Common Source Input Capacitance  
Common Source Reverse Transfer Capacitance  
Equivalent Circuit Input Noise Voltage  
g
V
= 10V, I = 30 µA  
os  
DS  
D
C
3
pF  
V
= 10V, V = Ø V  
iss  
DS  
GS  
C
1.5  
70  
pF  
V
= 10V, V = Ø V  
rss  
DS  
GS  
e¯  
20  
nV/√Hz  
V
= 10V, I = 30 µA  
DS  
D
N
V
= 10V, I = 30 µA  
DS  
D
Noise Figure  
NF  
1
dB  
f = 10 Hz  
R = 10 MΩ  
G
Max - IFN421 IFN422 IFN423  
Differential Gate Source Voltage  
|V – V  
|
10  
15  
25  
mV  
V
= 10V, I = 30 µA  
GS1 GS2  
DG  
D
T = – 55°C  
A
Differential Gate Source Voltage  
With Temperature  
|V – V  
|
GS1 GS2  
10  
25  
40  
µV/°C  
V
= 10V, I = 30 µA  
T = 25°C  
DG  
D
B
∆T  
T = 125°C  
C
Min - IFN421 IFN422 IFN423  
CMRR 90 80 80  
Common Mode Rejection Ratio  
dB  
V
= 10V to 20V, I = 30 µA  
DG  
D
TOÐ78 Package  
See Section G for Outline Dimensions  
Pin Configuration  
1 Source 1, 2 Drain 1, 3 Gate 1, 4 Case,  
5 Source 2, 6 Drain 2, 7 Gate 2,  
8 Omitted  
1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042  
(972) 487-1287 FAX (972) 276-3375  
www.interfet.com  
1

中文翻译

下载PDF

与IFN423相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IFN424 INTERFET

获取价格

 		Dual N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
IFN425 INTERFET

获取价格

 		Dual N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
IFN426 INTERFET

获取价格

 		Dual N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
IFN5114 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 90MA I(DSS) | TO-236AB
IFN5115 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 60MA I(DSS) | TO-18
IFN5116 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 25MA I(DSS) | TO-18
IFN5432 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 150MA I(DSS) | TO-78
IFN5433 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 100MA I(DSS) | TO-78
IFN5434 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 30MA I(DSS) | TO-78
IFN5564 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 5MA I(DSS) | TO-78

与IFN423相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证