生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | PGA |
包装说明: | PGA, | 针数: | 66 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
其他特性: | CONFIGURABLE AS 256K X 16 OR 128K X 32 | JESD-30 代码: | S-CPGA-P66 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 34.798 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | SRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 66 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 512KX8 | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | PGA | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 6.35 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | PIN/PEG | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | PERPENDICULAR | 宽度: | 34.798 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7M4016S35C | IDT |
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SRAM Module, 256KX16, 35ns, CMOS | |
IDT7M4016S45CB | IDT |
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SRAM Module, 256KX16, 45ns, CMOS | |
IDT7M4016S55C | IDT |
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SRAM Module, 256KX16, 55ns, CMOS | |
IDT7M4016S55CB | IDT |
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SRAM Module, 256KX16, 55ns, CMOS | |
IDT7M4017S30C | IDT |
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SRAM Module, 64KX32, 30ns, CMOS, CDIP60 | |
IDT7M4017S35C | IDT |
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SRAM Module, 64KX32, 35ns, CMOS, CDIP60 | |
IDT7M4017S35CB | IDT |
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SRAM Module, 64KX32, 35ns, CMOS, CDIP60 | |
IDT7M4017S40C | ETC |
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x32 SRAM Module | |
IDT7M4017S40CB | IDT |
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SRAM Module, 64KX32, 40ns, CMOS, CDIP60 | |
IDT7M4017S40CM | IDT |
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SRAM Module, 64KX32, 40ns, CMOS, CDIP60 |